Die Bookbuilding-Spanne wird das Unternehmen am 15. März auf einer Pressekonferenz bekanntgeben. Der Verkaufsprospekt soll ab dem 13. März zur Verfügung stehen und kann unter aktie.siltronic.com abgerufen werden. Wie der Vorstandsvorsitzende Dr. Wilhelm Sittenthaler bereits auf der Bilanz-Pressekonferenz am 26. Februar mitteilte, soll der größte Teil des Emissionsvolumens aus einer Kapitalerhöhung stammen.

Den Börsengang begleiten die Deutsche Bank und Morgan Stanley als Konsortialführer. Zum Konsortium gehören außerdem Citigroup, Dresdner Kleinwort Wasserstein, HypoVereinsbank, Bayerische Landesbank, DZ Bank und WestLB.

Siltronic ist einer der weltweit führenden Hersteller von sogenannten Wafern. Dabei handelt es sich um spezielle Siliziumkristallscheiben, die in einem aufwendigen Verfahren gewonnen werden. Die zylinderförmig aus Siliziumsand gewachsenen Kristalle werden anschließend mittels Lasertechnik sehr fein gesägt und poliert, bevor sie dann an Halbleiterhersteller wie Infineon oder die sich ebenfalls mit Börsenplänen tragende X-Fab zur Weiterverarbeitung verkauft werden. Die Eigenschaften der Wafer können kundenspezifisch gestaltet werden.

Wichtigster Trend in der Branche ist die Umstellung der Produktion vom bisherigen 200-mm-Standard auf 300-mm-Standard. Die Größenangaben beziehen sich hierbei auf den Durchmesser der Siliziumscheiben. Hierbei ermöglicht die um den Faktor 2,25 größere Fläche eines 300-mm-Wafers erhebliche Kostenvorteile, da entsprechend mehr Chips pro Produktionsdurchlauf gewonnen werden. Die Einsparungen bei Herstellern wie Infineon und TSMC, die frühzeitig auf diese Technologie gesetzt haben, belaufen sich auf ca. 20 bis 30 % pro Chip. Als bahnbrechend gilt hier das Infineon-Werk in Dresden, das weltweit als erste Fabrik die neue Technologie umgesetzt hat.

Im Jahr 2003 erzielte Siltronic einen Umsatz von 877 Mio. Euro und beschäftigte weltweit ca. 6.200 Mitarbeiter.

Ausführliche Informationen zum Unternehmen finden Sie auch im aktuellen GoingPublic Magazin 3/2004, Seiten 12 bis 14.

 

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